9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FCP11N60，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FCP11N60参考价格2.81000美元。onsemi FCP11N60封装/规格：MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3。您可以下载FCP11N60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FCP11N60价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如FCP11N60库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
FCP104N60带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.063493盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供357 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.3 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V 30 V，Id连续漏极电流为37 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为104mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为26ns，Qg栅极电荷为63nC，正向跨导最小值为33S，沟道模式为增强。
FCP104N60F带用户指南，包括5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如78 ns，典型的关闭延迟时间设计为214 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在50ns上升时间内提供，器件具有104mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为145nC，Pd功耗为357W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为37 A，下降时间为21.4 ns。
FCP110N65F，电路图由Fairchild制造。FCP110N65F采用TO-220封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET SuperFET2 650V、N沟道650V 35A（Tc）357W（Tc）通孔TO-220-3、MOSFETSuperFET2 650 V、110欧姆”。
