9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF644STRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF644STRRPBF参考价格$3.93000。Vishay Siliconix IRF644STRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK。您可以下载IRF644STRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF644SPBF是MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为49 ns，上升时间为24 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为14 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为280mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IRF644STRLPBF是MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为53 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为24 ns，器件的漏极-源极电阻为280 mOhms，Pd功耗为3.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为14A，下降时间为49ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF644STRL是由IR制造的MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK。IRF644STRL可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH250V 14B D2PAK、N沟道250V 14C（Tc）3.1W（Ta）、125W（Tc。
IRF644STRPBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRF644STRPBF采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
