9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLI630GPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLI630GPBF价格参考2.92000美元。Vishay Siliconix IRLI630GPBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3。您可以下载IRLI630GPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLI620G是MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供30 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅源电压为10 V，Id连续漏电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为4.2ns，沟道模式为增强。
IRLI540NPBF是MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作63mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为49.3 nC，该器件提供42 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为20 a。
IRLI620GPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP。IRLI620GPBF可提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 4A TO 220FP、N沟道200V 4A（Tc）30W（Tc）通孔TO-220-33、Trans MOSFET N-CH200V 4A 3-Pin（3+Tab）TO-220FP。
IRLI630G是由IR制造的N沟道200V 6.2A（Tc）35W（Tc）通孔TO-220-3。IRLI630G可采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分，并支持N沟道200 V 6.2 A（Tc）35W。
