9icnet为您提供由onsemi设计和生产的2SB817D,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。2SB817D参考价格1.55000美元。onsemi 2SB817D包装/规格:2SB817-P沟道硅MOSFE。您可以下载2SB817D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2SB817C-1E是双极晶体管-BJT BIP PNP 12A 140V,包括2SB817C系列,它们设计用于管封装,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供to-3PB等封装外壳功能,Pd功耗设计用于120W,以及140V集电极-发射极电压VCEO Max,该器件也可以用作PNP晶体管极性。此外,集电极-发射极饱和电压为2 V,该器件以160 V集电极基极电压VCBO提供,该器件具有6 V的发射极基极电压VEBO,最大直流集电极电流为12 a,连续集电极电流是12 a,直流集电极基极增益hfe Min为100,直流电流增益hfe Max为200 a。
2SB816E,带有SANYO制造的用户指南。2SB816E采用TO3P封装,是IC芯片的一部分。
2SB816-E,电路图由SANYO制造。2SB816-E采用TO3P封装,是IC芯片的一部分。
2SB817是SANYO制造的TRANS PNP 140V 12A。2SB817以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供,是晶体管(BJT)-单体的一部分,支持TRANS PNP 140V 12A。