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AOT266L

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、140A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、268W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.32453 18.32453
10+ 16.47035 164.70355
100+ 13.23640 1323.64000
500+ 10.87521 5437.60700
1000+ 9.01089 9010.89200
2000+ 8.47419 16948.38600
  • 库存: 1
  • 单价: ¥18.32454
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.32
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 90 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@20A、10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5650 pF @ 30 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 18A(Ta)、140A(Tc)
  • 最大功耗 2.1W(Ta)、268W(Tc)
  • 材质 -

AOT266L 产品详情

AOT266L、AOB266L和AOTF266L采用沟槽MOSFET技术,经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Cis和Coss的极低组合,导通和开关功率损耗都最小化。该设备非常适合于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。

产品概要
VDS 60伏
ID(VGS=10V时)140A/78A
RDS(开启)(VGS=10V时)<3.5mΩ (<3.2米Ω∗)
RDS(开启)(VGS=6V时)<4.0mΩ (<3.8米Ω∗)

100%UIS测试
100%Rg测试

AOT266L所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AOT266L 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AOT266L价格参考¥18.324537,你可以下载 AOT266L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AOT266L规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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