AOT266L、AOB266L和AOTF266L采用沟槽MOSFET技术,经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Cis和Coss的极低组合,导通和开关功率损耗都最小化。该设备非常适合于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
产品概要
VDS 60伏
ID(VGS=10V时)140A/78A
RDS(开启)(VGS=10V时)<3.5mΩ (<3.2米Ω∗)
RDS(开启)(VGS=6V时)<4.0mΩ (<3.8米Ω∗)
100%UIS测试
100%Rg测试