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FDB045AN08A0是MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于FDB045AN08A0_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.046296盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2PAK（2引线+标签），TO-263AB封装盒，该器件也可以用作Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为310W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为75V，输入电容Cis-Vds为6600pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为19A（Ta），90A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.5 mOhm@80A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为138nC@10V，Pd功耗为310 W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为88 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为75 V，Rds漏极源极电阻为3.9 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为18ns，信道模式为增强。
FDB045AN08，带有FSC制造的用户指南。FDB045AN08在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
FDB045AN080AO，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDB045AN080AO采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
