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STV270N4F3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 270A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: 10 PowerSO 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 46.35456 46.35456
10+ 41.66116 416.61161
100+ 34.13289 3413.28910
600+ 29.05648 17433.89220
1200+ 27.84714 33416.56800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥34.11406
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥46.35
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 150 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7500 pF @ 25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 270A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.5毫欧姆@80A,10V
  • 供应商设备包装 10 PowerSO
  • 包装/外壳 PowerSO-10外露底部衬垫
  • 材质 -

STV270N4F3 产品详情

这种STripFET III功率MOSFET技术是最新的改进之一,特别是为了最小化导通电阻,从而提供优异的开关性能。

特色

  • 传导损耗降低
  • 低剖面、非常低的寄生电阻
STV270N4F3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STV270N4F3 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STV270N4F3价格参考¥34.114059,你可以下载 STV270N4F3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STV270N4F3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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