PXP011-20QXJ

规格参数

• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 包装/外壳 8-PowerVDFN
• 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
• 场效应管类型 P-通道
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.25伏@250A.
• 供应商设备包装 MLPAK33
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4200 pF @ 10 V
• 最大功耗 1.8W（Ta），50W（Tc）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 10.5A（Ta），56.6A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 11.4欧姆@10.5A，4.5V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 65.1 nC @ 4.5 V