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STU5N95K3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.63521 3.63521
  • 库存: 10
  • 单价: ¥3.63521
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.64
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19 nC@10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 100A
  • 最大功耗 90W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-251 (IPAK)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 460 pF @ 25 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 950伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@2A,10V

STU5N95K3 产品详情

描述

这些SuperMESH3™ 功率MOSFET是STMicroelectronics的SuperMESH改进的结果™ 技术,结合新的优化垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、优异的动态性能和高雪崩能力,因此适合于最苛刻的应用

特征

•100%雪崩测试
•超大雪崩性能
•栅极电荷最小化
•非常低的固有电容
•齐纳保护

应用
•切换应用程序

特色

  • 100%雪崩测试
  • 极大型雪崩性能
  • 网关费用最小化
  • Verylowintrinsic电容
  • 齐纳保护


(图片:引线/示意图)

STU5N95K3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STU5N95K3 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STU5N95K3价格参考¥3.635212,你可以下载 STU5N95K3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STU5N95K3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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