描述
这些SuperMESH3™ 功率MOSFET是STMicroelectronics的SuperMESH改进的结果™ 技术,结合新的优化垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、优异的动态性能和高雪崩能力,因此适合于最苛刻的应用
特征
•100%雪崩测试
•超大雪崩性能
•栅极电荷最小化
•非常低的固有电容
•齐纳保护
应用
•切换应用程序
特色
- 100%雪崩测试
- 极大型雪崩性能
- 网关费用最小化
- Verylowintrinsic电容
- 齐纳保护
(图片:引线/示意图)
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 3.63521 | 3.63521 |
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描述
这些SuperMESH3™ 功率MOSFET是STMicroelectronics的SuperMESH改进的结果™ 技术,结合新的优化垂直结构。这些器件具有极低的导通电阻、优异的动态性能和高雪崩能力,因此适合于最苛刻的应用
特征
•100%雪崩测试
•超大雪崩性能
•栅极电荷最小化
•非常低的固有电容
•齐纳保护
应用
•切换应用程序
(图片:引线/示意图)
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