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FDB3502

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 14A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、41W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 13.18207 13.18207
10+ 11.84938 118.49384
100+ 9.52513 952.51380
800+ 7.82595 6260.76240
1600+ 7.11455 11383.28960
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.74750
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥13.18
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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 75 V
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta), 14A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 47毫欧姆 @ 6A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 815 pF @ 40 V
  • 最大功耗 3.1W(Ta)、41W(Tc)

FDB3502 产品详情

该N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大程度降低导通电阻,同时保持优异的开关性能。

特色

  • VGS=10V,ID=6A时,最大rDS(开)=47mΩ
  • 100%UIL测试
  • 符合RoHS

应用

  • 同步整流器
FDB3502所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDB3502 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDB3502价格参考¥12.747504,你可以下载 FDB3502中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDB3502规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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