STN1NK60ZL

Name: STN1NK60ZL
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7141228-STN1NK60ZL
Price: 4.635456 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Tc) 最大功耗: 3.3W（Tc）供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	5.07003	5.07003
10+	4.33849	43.38497
100+	3.23902	323.90250
500+	2.54501	1272.50500
1000+	1.96659	1966.59200
2000+	1.84042	3680.84200
4000+	1.84042	7361.68400

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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
漏源电压标 (Vdss) 600 V
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳至261-4，至261AA
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 50A
供应商设备包装 SOT-223
最大功耗 3.3W（Tc）
漏源电流 (Id) @ 温度 300毫安 (Tc)
导通电阻 Rds(ON) 15欧姆@400毫安，10伏
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.9 nC @ 10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 94 pF @ 25 V

STN1NK60ZL 产品详情

这些器件是使用STMicroelectronics的SuperMESH技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET，通过优化ST基于条形的PowerMESH布局实现。除了导通电阻的显著降低外，该器件的设计确保了在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。

特色

100%雪崩测试
极高的dv/dt能力
网关费用最小化
ESD认证能力
齐纳保护

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型号	制造商	描述	价格
STN101050B301	伊顿 (Eaton)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 5V (Max) 最大钳位电压: 16伏供应商设备包装: DFN1006-2L 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ）安装类别: 表面安装	¥2.89716
STN061050BL15	伊顿 (Eaton)	种类: Zener 典型反向偏差电压: 5V (Max) 最大钳位电压: 17伏供应商设备包装: DFN0603-2L 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TJ）安装类别: 表面安装	¥2.2453
STNRG011A		DISCRETE	¥0.00
STNRG012		DISCRETE	¥0.00
STNRG011ATR		DIGITAL COMBO MULTI-MODE PFC AND	¥0.00
STNRG328STR		DISCRETE	¥0.00
STN-5.0'		Sampling Tube for SL-2000/RT3000	¥0.00
STN-1.0'		Sampling Tube for SL-2000/RT3000	¥0.00
STN-10.0'		Sampling Tube for SL-2000/RT3000	¥0.00
STN-2.5'		Sampling Tube for SL-2000/RT3000	¥0.00

STN1NK60ZL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STN1NK60ZL 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STN1NK60ZL价格参考￥4.635456，你可以下载 STN1NK60ZL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STN1NK60ZL规格参数、现货库存、封装信息等信息！