特色
- 21安培,30伏特
- RDS(开启)=35 mΩ@VGS=10 V
- RDS(ON)=50 mΩ@VGS=4.5 V
- 低栅极电荷(5nC典型值)
- 快速切换速度
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 5.64946 | 5.64946 |
10+ | 4.99760 | 49.97601 |
100+ | 3.83366 | 383.36670 |
500+ | 3.03071 | 1515.35950 |
1000+ | 2.42456 | 2424.56100 |
2500+ | 2.41079 | 6026.99750 |
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