9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF610STRLPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF610STRLPBF参考价格$1.81000。Vishay Siliconix IRF610STRLPBF封装/规格:MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK。您可以下载IRF610STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF610PBF是MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB,包括管封装,它们设计用于0.211644盎司的单位重量,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-220-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,该器件提供36 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为8.9 ns,上升时间为17 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为3.3 A,Vds漏极-源极击穿电压为200V,Rds漏极漏极-漏极电阻为1.5欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为14ns,典型接通延迟时间为8.2ns,沟道模式为增强。
IRF610A,带有FSC制造的用户指南。IRF610A采用TO-220封装,是IC芯片的一部分。
IRF610LPBF,带有由IR制造的电路图。IRF610LP BF采用TO-262封装,是IC芯片的一部分,N沟道200V 3.3A(Tc)3W(Ta),36W(Tc)通孔I2PAK,Trans-MOSFET N-CH 200V 3.3A3-Pin(3+Tab)TO-220AB。
IRF610S是VISHAY制造的MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK。IRF610S采用TO-263-3、D²Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK、N沟道200V 3.3V(Tc)3W(Ta)、36W(Tc)表面安装D2PAK和Trans-MOSFET N-CH 200 V 3.3A 3-Pin(2+接线片)D2PAK。