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PMPB08R4VPX

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta),12.5W(Tc) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.69387 3.69387
10+ 3.13617 31.36176
100+ 2.34235 234.23540
500+ 1.84042 920.21050
1000+ 1.42214 1422.14300
3000+ 1.29669 3890.08800
6000+ 1.25483 7528.99200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.69388
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.69
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
  • 供应商设备包装 DFN2020MD-6
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V
  • 最大功耗 1.9W(Ta),12.5W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2200 pF@6 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 9.6毫欧姆 @ 12A, 4.5V
  • 材质

PMPB08R4VPX 产品详情

PMPB08R4VPX所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMPB08R4VPX 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMPB08R4VPX价格参考¥3.693879,你可以下载 PMPB08R4VPX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMPB08R4VPX规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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