SI2312B-TP

Name: SI2312B-TP
Brand: 微型商业组件 (Micro)
SKU: 7141325-SI2312B-TP
Price: 2.752302 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 1.25瓦供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 微型商业组件 (Micro)
交期:5-7 工作日

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10+	2.24529	22.45299
100+	1.52970	152.97000
500+	1.14727	573.63750
1000+	0.86045	860.45700
3000+	0.78875	2366.25600
6000+	0.74094	4445.69400

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
漏源电压标 (Vdss) 20伏
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
供应商设备包装 SOT-23
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
制造厂商微型商业组件 (Micro)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
漏源电流 (Id) @ 温度 6.8A (Ta)
最大功耗 1.25瓦
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 500 pF @ 8 V
导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@4.5A，4.5V

SI2312B-TP 产品详情

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型号	制造商	描述	价格
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SI2302	伯恩半导体 (BORN)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A	¥0.14848

SI2312B-TP所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SI2312B-TP 由微型商业组件 (Micro) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SI2312B-TP价格参考￥2.752302，你可以下载 SI2312B-TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SI2312B-TP规格参数、现货库存、封装信息等信息！