9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN1R7-40YLDX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN1R7-40YLDX参考价格为2.13000美元。Nexperia USA Inc.PSMN1R7-40YLDX封装/规格：MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56。您可以下载PSMN1R7-40YLDX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN1R0-30YLDX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，信道数设计为在1信道中工作，以及单配置，该设备也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为238 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为31.7 ns，上升时间为44.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.75V，Rds漏极-源极电阻为1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为32.4ns，Qg栅极电荷为38nC，沟道模式为增强。
PSMN1R0-30YLC，115是MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK，包括1.95V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于1.15 mOhm@25A，10V，提供功率最大功能，如272W，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供6645pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有103.5nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，4.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为100A（Tc）。
PSMN1R0-30YLC，带有NXP制造的电路图。PSMN1R0-30YLC在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
