特色
- 22 A,100 V。
- RDS(ON)=64 mΩ@VGS=10 V
- RDS(ON)=71 mΩ@VGS=6 V
- 低栅极电荷(典型值为28 nC)。
- 快速切换。
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术。
- 高功率和电流处理能力。
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 15.35494 | 15.35494 |
10+ | 13.76875 | 137.68753 |
100+ | 11.06642 | 1106.64270 |
500+ | 9.09201 | 4546.00600 |
1000+ | 8.26545 | 8265.45300 |
2500+ | 8.26545 | 20663.63250 |
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