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TPH1R403NL,L1Q

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta)、64W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOP Advance (5x5) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.71949 10.71949
10+ 9.56787 95.67871
100+ 7.45801 745.80140
500+ 6.16110 3080.55000
1000+ 4.86396 4863.96900
2000+ 4.53970 9079.41000
5000+ 4.42179 22108.95000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.71949
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.72
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规格参数

  • 宽(英寸) forty-eight
  • 长(英寸) 72
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 8-SOP Advance (5x5)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 46 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4400 pF @ 15 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@500A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.4毫欧姆@30A,10V
  • 最大功耗 1.6W(Ta)、64W(Tc)

TPH1R403NL,L1Q 产品详情

U-MOS-H是第八代高速沟槽结构MOSFET。U-MOS-H是一种高效MOSFET系列,专门设计用于AC-DC和DC-DC电源的二次侧。U-MOS-H采用最新的沟槽MOS工艺和优化的单元设计制造,在导通电阻和电容(如输入、反向传输和输出电容)之间实现了出色的权衡。U-MOS-H将有助于提高电源的效率。

特色

  • 装配底座:2.3 V
  • 装配底座:2.1 mΩ
  • 装配底座:1.4 mΩ
  • 装配底座:3400 pF
  • 装配底座:46 nC

应用

高效DC-DC转换器/开关稳压器
TPH1R403NL,L1Q所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPH1R403NL,L1Q 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPH1R403NL,L1Q价格参考¥10.719492,你可以下载 TPH1R403NL,L1Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPH1R403NL,L1Q规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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