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PMV50ENEAR

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 510mW (Ta), 3.9W (Tc) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.82473 2.82473
10+ 2.29599 22.95999
100+ 1.56519 156.51910
500+ 1.17407 587.03700
1000+ 0.88051 880.51900
3000+ 0.80714 2421.44700
6000+ 0.75825 4549.55400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.82473
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.82
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
  • 供应商设备包装 TO-236AB
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.9A (Ta)
  • 最大功耗 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 43毫欧姆 @ 3.9A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 276 pF@15 V

PMV50ENEAR 产品详情

PMV50ENEAR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMV50ENEAR 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMV50ENEAR价格参考¥2.824731,你可以下载 PMV50ENEAR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMV50ENEAR规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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