9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN021-100YLX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN021-100YLX参考价格为1.07000美元。Nexperia USA Inc.PSMN021-100YLX封装/规格：MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56。您可以下载PSMN021-100YLX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PSMN020-30MLCX具有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表说明中显示了用于LFPAK33-4的封装盒，该LFPAK33提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为33 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.1 ns，上升时间为7.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为31.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.62V，Rds漏极-源极电阻为20.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.1ns，典型接通延迟时间为6.1ns，Qg栅极电荷为9.5nC，沟道模式为增强。
PSMN018-80YS，115是MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于18 mOhm@5A、10V，提供功率最大功能，如89W，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1640pF@40V输入电容Cis-Vds，该器件具有26nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为80V，电流连续漏极Id 25°C为45A（Tc）。
PSMN018-80YS@115NXP制造的电路图。这个PSMN018-80YS@115SOT-669封装中提供，是IC芯片的一部分。
PSMN020-150W是NXP制造的MOSFET N-CH 150V 73A SOT429。PSMN020-150W在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 150V 73A SOT429。
