9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7114DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7114DN-T1-E3参考价格1.83000美元。Vishay Siliconix SI7114DN-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8。您可以下载SI7114DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7114ADN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，数据表注释中显示了用于SI7114ADNV-GE3的零件别名，该SI7114ADN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR 1212-8以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为39W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1230pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为7.5mOhm@18A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为32nC@10V，Pd功耗为3.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为14ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为20ms，正向跨导最小值为50S，信道模式是增强。
SI7114DN，带有SI制造的用户指南。SI7114DN可在QFN1212-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
SI7114DN。电路图由VIS制造。SI7114DN。QFN8封装中提供，是IC芯片的一部分。
