XPN12006NC,L1XHQ

规格参数

• 长（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 包装/外壳 8-PowerVDFN
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23 nC@10 V
• 导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@10A，10V
• 最大功耗 65W (Tc)
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度
• 漏源电流 (Id) @ 温度 20A
• 供应商设备包装 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1100 pF@10 V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 0.2毫安时为2.5伏
• 材质 -