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SIR182DP-T1-RE3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 69.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.82063 6.82063
10+ 5.81172 58.11725
30+ 5.25472 157.64172
100+ 4.62415 462.41570
500+ 3.80442 1902.21000
1000+ 3.67830 3678.30700
  • 库存: 9078
  • 单价: ¥6.82063
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.82
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 64 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.6V @ 250A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
  • 包装/外壳 PowerPAKSO-8
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 7.5V, 10V
  • 供应商设备包装 PowerPAKSO-8
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.8毫欧姆@15A,10V
  • 最大功耗 69.4W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3250 pF @ 30 V

SIR182DP-T1-RE3 产品详情

SIR182DP-T1-RE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SIR182DP-T1-RE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIR182DP-T1-RE3价格参考¥6.820632,你可以下载 SIR182DP-T1-RE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIR182DP-T1-RE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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