9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4431EY-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4431EY-T1_GE3价格参考1.08000美元。Vishay Siliconix SQ4431EY-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO。您可以下载SQ4431EY-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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带有引脚细节的SQ4425EY-T1_GE3，包括SQ系列，它们设计用于卷盘封装，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，其最大工作温度范围为+175 C，以及-30 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。
SQ4410EY-T1-GE3是由VISHAY/SILICONIX制造的MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC。SQ4410EY-T1-GE3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC。
SQ4425EY-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQ4425EY-T1-GE3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
