9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7625DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7625DN-T1-GE3参考价格为1.18000美元。Vishay Siliconix SI7625DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8。您可以下载SI7625DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7617DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，数据表注释中显示了用于SI7617DNV-GE3的零件别名，该SI7617DN-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR 1212-8以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1800pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为12.3 mOhm@13.9A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为59nC@10V，Pd功耗为52 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为43ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为-35A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.3mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型导通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为20.5nC，并且前向跨导Min为35S，并且信道模式为增强。
SI7619DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表中，用于P沟道，提供TrenchFET等商标特性，技术设计用于Si，以及PowerPAKR 1212-8供应商设备包，该器件也可以用作TrenchFETR系列。此外，Rds On Max Id Vgs为21 mOhm@10.5A，10V，该设备提供27.8W Power Max，该设备具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为PowerPAKR 1212-8，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），信道数为1信道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为1350pF@15V，栅极电荷Qg Vgs为50nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为24A（Tc）。
SI7617DN-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7617DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
