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FDD7N60NZTM

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.77791 9.77791
10+ 8.72045 87.20452
100+ 6.79673 679.67370
500+ 5.61455 2807.27550
1000+ 4.70122 4701.22200
2500+ 4.70122 11753.05500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.77792
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.78
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A (Tc)
  • 最大功耗 90W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.25欧姆@2.75A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 730 pF @ 25 V
  • 材质 橡胶

FDD7N60NZTM 产品详情

UniFETTM II MOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET家族。这种先进的MOSFET家族在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,并且还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部栅源ESD二极管允许UniFET II MOSFET承受超过2kV的HBM浪涌应力。该设备系列适用于开关功率转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视功率、ATX和电子镇流器。

特色

  • RDS(开启)=1.05Ω (典型)@VGS=10V,ID=2.75A
  • 低栅极电荷(典型13nC)
  • 低铬(典型值7pF)
  • 100%雪崩测试
  • 改进的dv/dt能力
  • ESD改进能力
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD7N60NZTM所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD7N60NZTM 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD7N60NZTM价格参考¥9.777915,你可以下载 FDD7N60NZTM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD7N60NZTM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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