9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7633DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7633DP-T1-GE3参考价格为1.75000美元。Vishay Siliconix SI7633DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8。您可以下载SI7633DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7629DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7629DNV-GE3中使用的零件别名，该SI7629DN-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为5790pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为35A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.6mOhm@20A，10V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为177nC@10V，Pd功耗为52W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极源极电压为12 V，并且Id连续漏极电流为-35A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.5V，Rds漏极源极电阻为3.8mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为118nC，正向跨导Min为64S。
SI7625DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在-2.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如-30 V，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商设备包为PowerPAKR 1212-8，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有7 mOhm@15A，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为7 mOhms，Qg栅极电荷为84.5 nC，最大功率为52W，Pd功耗为3.7W，部件别名为SI7625DN-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR 1212-8，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+125 C，输入电容Cis-Vds为4427pF@15V，Id连续漏极电流为-3A，栅极电荷Qg Vgs为126nC@110V，正向跨导最小值为47S，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为35A（Tc），配置为单一。
SI7619DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK，包括24A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作。数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供了FET型特性，如MOSFET P沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，以及1350pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），设备具有PowerPAKR 1212-8封装盒，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为27.8W，最大Id Vgs上的Rds为21mOhm@10.5A，10V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为PowerPAKR 1202-8，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，Vgs最大Id为3V@250μA。
SI7633DP，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI7633DP在PAK SO8封装中提供，是FET的一部分-单个。
