9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MTB52N06VL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MTB52N06VL参考价格$0.300000。onsemi MTB52N06VL封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载MTB52N06VL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MTB50P03HDLT4G是MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK，包括MTB50P03HDL系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为4900pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为50A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为25 mOhm@25A，5V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为100nC@5V，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为218 ns，上升时间为340ns，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型导通延迟时间为22ns，正向跨导最小值为20S，信道模式是增强。
MTB50P03HDLT4是ON公司制造的MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK。MTB50P03HDLT4可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET P-CH30V 50V D2PAK、P沟道30V 50B（Tc）2.5W（Ta）、125W（Tc。
带有ON制造的电路图的MTB50P03HG。MTB50P03 HG以TO263封装形式提供，是IC芯片的一部分。
MTB52N06V带有ON制造的EDA/CAD型号。MTB52N06V采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
