9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR876ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR876ADP-T1-GE3参考价格为1.75000美元。Vishay Siliconix SIR876ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8。您可以下载SIR876ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR872ADP是MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET，以及PowerPAKR SO-8包装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为1286pF@75V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为53.7A（Tc），最大Id Vgs的Rds为18mOhm@20A，10V，Vgs的最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为47nC@10V，Pd功耗为104W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为7ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为53.7A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs第h栅极-源极端电压为4.5V，Rds导通漏极-源极电阻为18m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为22.8nC，正向跨导最小值为30S。
SIR872DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8，包括150 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.017870 oz单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计用于Si，以及SIRxxxDP系列，该器件也可以用作18毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，封装外壳为SO-8，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有53.7 a的Id连续漏电流。
SIR872ADP-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIR872ADP-T1-GE3在PPAKSO-8封装中提供，是IC芯片的一部分，N通道150V 53.7A（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）表面贴装PowerPAK？SO-8，Trans MOSFET N-CH 150V 12.8A 8引脚PowerPAK SO T/R，MOSFET 150V18mOhms@10V53.7A N-通道T-FET。
