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TK15S04N1L,LQ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 46W (Tc) 供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.29892 11.29892
10+ 10.08211 100.82117
100+ 7.86144 786.14440
500+ 6.49398 3246.99200
1000+ 5.12688 5126.88700
2000+ 4.78509 9570.18800
  • 库存: 3
  • 单价: ¥11.29892
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.30
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@100A.
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 最大功耗 46W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 610 pF @ 10 V
  • 供应商设备包装 DPAK+
  • 导通电阻 Rds(ON) 17.8毫欧姆@7.5A,10V

TK15S04N1L,LQ 产品详情

TK15S04N1L,LQ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK15S04N1L,LQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK15S04N1L,LQ价格参考¥11.298924,你可以下载 TK15S04N1L,LQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK15S04N1L,LQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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