9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTB30N06，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTB30N06参考价格$0.300000。onsemi NTB30N06封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载NTB30N06英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTB25P06T4G是MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK，包括NTB25P06系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有120 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为190 ns，上升时间为72 ns，Vgs栅源电压为15 V，Id连续漏电流为27.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为65mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为14ns，正向跨导最小值为13S，沟道模式为增强。
NTB25P06是ON公司制造的MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK。NTB25P6有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH60V 27.5 A D2PAK、P沟道60V 27.5A（Ta）120W（Tj）表面安装D2PAK。
NTB27N06LG，带有ON制造的电路图。NTB27NO6LG采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
NTB27N06T4G带有ON制造的EDA/CAD模型。NTB27NO6T4G采用SOT263封装，是IC芯片的一部分。
