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FDD4N60NZ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.46018 7.46018
10+ 6.66346 66.63468
100+ 5.19315 519.31590
500+ 4.28997 2144.98500
1000+ 3.59211 3592.11600
2500+ 3.59211 8980.29000
  • 库存: 2413
  • 单价: ¥7.46019
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.46
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 510 pF @ 25 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.8 nC@10 V
  • 最大功耗 114W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.4A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.5欧姆@1.7A,10V

FDD4N60NZ 产品详情

单场效应晶体管™ N沟道MOSFET,Fairchild半导体

单场效应晶体管™ MOSFET是Fairchild Semiconductor的高压MOSFET家族。它在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,并且还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部栅源ESD二极管允许UniFET II™ MOSFET能够承受超过2000V的HBM浪涌应力。
单场效应晶体管™ MOSFET适用于开关功率转换器应用,例如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视功率、ATX(先进技术扩展)和电子镇流器。

特色

  • RDS(开启)=1.9Ω (典型)@VGS=10V,ID=1.7A
  • 低栅极电荷(典型值8.3nC)
  • 低铬(典型值3.7pF)
  • 100%雪崩测试
  • 改进的dv/dt能力
  • ESD改进能力
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD4N60NZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD4N60NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD4N60NZ价格参考¥7.460187,你可以下载 FDD4N60NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD4N60NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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