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PSMN1R0-30YLDX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，信道数设计为在1信道中工作，以及单配置，该设备也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为238 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为31.7 ns，上升时间为44.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.75V，Rds漏极-源极电阻为1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为32.4ns，Qg栅极电荷为38nC，沟道模式为增强。
PSMN1R0-40YLDX是MOSFET N-CH 40V 1.1 mOhm逻辑电平MOSFET，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供典型的开启延迟时间功能，如52 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为62 ns，器件的漏极-源极电阻为1.1 mOhm，Qg栅极电荷为59 nC，Pd功耗为198 W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为100 A，下降时间为38 ns，配置为单一，通道模式为增强。
PSMN1R0-30YLC，115是MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK，包括100A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门、4.5V驱动器的FET特性，提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了6645pF@15V输入电容Ciss Vds，该设备还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备采用SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，该设备具有Digi-ReelR替代封装，最大功率为272W，最大Id Vgs的Rds为1.15 mOhm@25A、10V，供应商设备包为LFPAK、Power-SO8，Vgs th Max Id为1.95V@1mA。
