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SI4134DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4134DY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC-Norrow-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns 8 ns，上升时间为12 ns 9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns 14ns，典型接通延迟时间为15ns 9ns，沟道模式为增强型。
SI4134DY带有SI制造的用户指南。SI4134Y可在SOP8封装中获得，是FET的一部分-单。
SI4134DY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI4134DY-T1采用SO-8封装，是FET的一部分-单个。
