SI4403CDY-T1-GE3

规格参数

• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
• 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
• 场效应管类型 P-通道
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
• 供应商设备包装 8-SOIC
• 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2380 pF@10 V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 90 nC @ 8 V
• 最大功耗 5W (Tc)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 13.4A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 15.5毫欧姆@9A，4.5V