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CSD17575Q3T

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta)、108W(Tc) 供应商设备包装: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.21248 10.21248
10+ 9.14054 91.40540
100+ 7.12846 712.84620
250+ 6.66346 1665.86700
500+ 5.88847 2944.23900
1000+ 4.93060 4930.60400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.21249
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.21
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.8V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Ta)
  • 供应商设备包装 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.3毫欧姆@25A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4420 pF @ 15 V
  • 最大功耗 2.8W(Ta)、108W(Tc)
  • 材质 -

CSD17575Q3T 产品详情

CSD17575Q3T所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD17575Q3T 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD17575Q3T价格参考¥10.212489,你可以下载 CSD17575Q3T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD17575Q3T规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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