9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3469DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3469DV-T1-GE3参考价格1.13000美元。Vishay Siliconix SI3469DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP。您可以下载SI3469DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3469DV-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，数据表注释中显示了用于SI3469DV-E3的零件别名，该SI3469DVD-E3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.14W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为30 mOhm@6.7A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V，Pd功耗为1.14W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12纳秒，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为30毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50纳秒，典型开启延迟时间为10ns，信道模式为增强。
SI3467DV-T1-GE3是MOSFET 20V 5.0A 2.0W 54mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作54mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.14 W，该器件以SI3467DV-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为3.8 a，配置为单一。
SI3469DV-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI3469DV-T1在SOT163封装中提供，是FET的一部分-单个。
