9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR872ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR872ADP-T1-GE3价格参考1.88000美元。Vishay Siliconix SIR872ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8。您可以下载SIR872ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR872ADP是MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET，以及PowerPAKR SO-8包装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为104W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为150V，输入电容Cis-Vds为1286pF@75V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为53.7A（Tc），最大Id Vgs的Rds为18mOhm@20A，10V，Vgs的最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为47nC@10V，Pd功耗为104W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为7ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为53.7A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs第h栅极-源极端电压为4.5V，Rds导通漏极-源极电阻为18m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为22.8nC，正向跨导最小值为30S。
SIR870DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，例如100 V，单位重量设计用于0.017870盎司，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在PowerPAKR SO-8供应商器件包中提供，该器件具有系列TrenchFETR，Rds On Max Id Vgs为6 mOhm@20A，10V，Rds On漏极-源极电阻为6 mOhm，Qg栅极电荷为55.7nC，功率最大值为104W，Pd功耗为104W。部件别名为SIR870DP-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为2840pF@50V，Id连续漏极电流为60A，栅极电荷Qg Vgs为84nC@10V，正向跨导最小值为80S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为60A（Tc），配置为单一。
SIR866DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8，包括增强信道模式，它们设计为与单四漏三源配置一起工作，下降时间显示在数据表注释中，用于49纳秒，提供前向跨导最小特性，如78 S，Id连续漏电流设计为工作在60 a，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，设备提供1个通道数量的通道，设备具有SO-8封装盒，包装为卷筒，零件别名为SIR866DP-GE3，Pd功耗为5.4W，Rds漏极-源极电阻为20.5 mOhms，上升时间为23 ns，系列为SIRxxxDP，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。典型关断延迟时间为66 ns，典型开启延迟时间为42 ns，单位重量为0.017870 oz，Vds漏极源极击穿电压为20 V，Vgs栅极-源极电压为20V。
