9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17552Q3A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17552Q3A参考价格1.07000美元。德州仪器CSD17552Q3A封装/规格：MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON。您可以下载CSD17552Q3A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17551Q3A是MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为在8-PowerVDFN以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-SON（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.6W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1370pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为12A（Tc），最大Id Vgs的Rds为9 mOhm@11A，10V，Vgs的最大Id为2.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.8nC@4.5V，Pd功耗为2.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.4 ns，上升时间为24ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为48A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为11.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型导通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为6nC，正向跨导Min为101S。
CSD17551Q5A是MOSFET N-CH 30V 8SON，包括1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及NexFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CSD17551Q5A，器件提供11 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有6 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为3 W，封装为卷轴式，封装外壳为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为48 A，配置为单一。
CSD17527Q5A是MOSFET N-CH 30V 65A 8SON，包括65A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，设计用于3.4nC@4.5V，除了506pF@15V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8 PowerTDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，功率最大值为3W，Rds On Max Id Vgs为10.8 mOhm@11A，10V，系列为NexFET？，供应商设备包为8-VSON（5x6），Vgs th Max Id为2V@250μA。
