9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7110DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7110DN-T1-GE3参考价格为2.27000美元。Vishay Siliconix SI7110DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8。您可以下载SI7110DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7110DN-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7110DN-E3的零件别名，该SI7110DN E3提供了SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET/PPowerPAK以及PowerPAKR 1212-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 N沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为13.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为5.3 mOhm@21.1A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@4.5V，Pd功耗为1.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20伏，Rds导通-漏极电阻为5.3毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36纳秒，典型的开启延迟时间为12ns，信道模式为增强。
SI7108DN-TI-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI7108DN-TI-E3在POWERPAK1212-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI7110DN，带有VISHAY制造的电路图。SI7110DN采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
