9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17301Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17301Q5A参考价格1.72000美元。德州仪器CSD17301Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 30V 28A/100A 8VSON。您可以下载CSD17301Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD16570Q5BT是MOSFET 25V NCH NexFET Pwr MOSFET，包括CSD16570Q 5系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000847盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于NexFET，以及VSON-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为195 W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为72 ns，上升时间为43 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为456A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为590uOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为156ns，典型接通延迟时间为5ns，Qg栅极电荷为192nC。
CSD16570Q5B是MOSFET 25-V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于25 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002677盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及NexFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CSD16570Q5B，该器件提供820 uOhms Rds漏极源极电阻，该器件具有一个封装卷，封装盒为SON-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为456 a。
CSD17301带有TI制造的电路图。CSD17301采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
