BUK7M4R3-40HX

规格参数

• 宽（英寸） forty-eight
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
• 漏源电压标 (Vdss) 40伏
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24 nC@10 V
• 工作温度 175摄氏度
• 最大栅源极电压 (Vgs) -
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
• 供应商设备包装 LFPAK33
• 包装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33（5导联）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 95A（Ta）
• 导通电阻 Rds(ON) 4.3毫欧姆 @ 95A, 10V
• 最大功耗 90W