9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7848BDP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7848BDP-T1-GE3参考价格1.83000美元。Vishay Siliconix SI7848BDP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8。您可以下载SI7848BDP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7848BDP-T1-E3是MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7848PDP-E3中使用的零件别名，该SI7848DDP-E3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为36W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2000pF@20V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为47A（Tc），最大Id Vgs的Rds为9 mOhm@16A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为50nC@10V，Pd功耗为4.2W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为10 ns，上升时间为12 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为9 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为25ns 30ns，典型的接通延迟时间为25 ns 10ns，信道模式为增强。
SI7846DY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI7846DY-T1-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
SI7848BDP是由SI制造的Trans-MOSFET N-CH 40V 16A 8引脚PowerPAK SO T/R。SI7848DDP采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个，并支持Trans-MOSMOSFET N-CH 40 V 16A 8针PowerPAK SO O/R。
