9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS406DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS406DN-T1-GE3参考价格为0.85000美元。Vishay Siliconix SIS406DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8。您可以下载SIS406DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS402DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8，包括SISxxxDN系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIJ484DP-T1-GE1，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装盒设计用于PowerPAK-1212-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.8 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为25ms，正向跨导最小值为82S，沟道模式为增强。
SIS406DN，带有VISHAY制造的用户指南。SIS406DN在SON8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SIS406DN-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIS406DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
