9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR4602LDP-T1-RE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR4602LDP-T1-RE3参考价格为1.00000美元。Vishay Siliconix SIR4602LDP-T1-RE3包装/规格：POWERPAK SO-8，8.8 M@10V，12.5。您可以下载SIR4602LDP-T1-RE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIR4602LDP-T1-RE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIR440DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在用于SIR440DP-GE3的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAK-SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为6.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为48 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.55mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为81ns，典型接通延迟时间为45ns，正向跨导最小值为110S，沟道模式为增强。
SIR438DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如37纳秒，典型的关闭延迟时间设计为41纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SIRxxxDP系列，该器件的上升时间为21 ns，漏极-源极电阻Rds为1.9 mOhms，Pd功耗为5.4 W，零件别名为SIR438DP-GE3，封装为卷轴式，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为60 A，正向跨导最小值为90 S，下降时间为20 ns，配置为单一，信道模式为增强。
SIR460DP，带有VISHAY制造的电路图。SIR460DP在DFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
