SuperFET®II MOSFET是Fairchild Semiconductors全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,该系列利用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗,提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此外,内部栅源ESD二极管可以承受超过2kV的HBM浪涌应力。因此,SuperFET II MOSFET非常适合开关电源应用,如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源应用。
应用交流-直流电源LED照明
特色
RDS(开)=1.05Ω(典型值)超低栅极电荷(典型值Qg=16.2 nC)低Eoss(典型值1.57 uJ@400V)低有效输出电容(典型值Coss(eff)=48.7 pF)100%雪崩测试符合RoHS ESD改进能力