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FCD1300N80Z

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.15406 11.15406
10+ 9.99520 99.95202
100+ 7.79336 779.33600
500+ 6.43806 3219.03450
1000+ 5.39074 5390.74600
2500+ 5.39074 13476.86500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.15407
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.15
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC@10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 800 V
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Tc)
  • 最大功耗 52W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.3欧姆@2A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 400A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 880 pF @ 100 V
  • 材质 -

FCD1300N80Z 产品详情

SuperFET®II MOSFET是Fairchild Semiconductors全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,该系列利用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗,提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。此外,内部栅源ESD二极管可以承受超过2kV的HBM浪涌应力。因此,SuperFET II MOSFET非常适合开关电源应用,如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX电源和工业电源应用。

应用交流-直流电源LED照明

特色

RDS(开)=1.05Ω(典型值)超低栅极电荷(典型值Qg=16.2 nC)低Eoss(典型值1.57 uJ@400V)低有效输出电容(典型值Coss(eff)=48.7 pF)100%雪崩测试符合RoHS ESD改进能力

FCD1300N80Z所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCD1300N80Z 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCD1300N80Z价格参考¥11.154066,你可以下载 FCD1300N80Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCD1300N80Z规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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