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PSMN7R6-100BSEJ是MOSFET N沟道100 V 7.6 mo FET，包括卷轴封装，它们设计为以0.13932 oz的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供296 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为47 ns，上升时间为48 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为75 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为31ns，Qg栅极电荷为128nC，沟道模式为增强。
PSMN7R5-30MLDX是MOSFET 30V N沟道7.5mOhm，包括2.2 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在2.2 V Vgs栅源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为8.5 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为10.4 ns，器件的漏极-源极电阻为10.3 mOhms，Qg栅极电荷为11.3 nC，Pd功耗为45 W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为57 a，下降时间为5.5ns，信道模式为增强。
PSMN7R5-30YLDX是MOSFET 30V N沟道7.5mOhm，包括增强沟道模式，它们设计为在5.5 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于51 a，提供SMD/SMT等安装方式功能，沟道数量设计为在1个沟道中工作，以及LFPAK-4封装盒，该装置也可以用作卷筒包装。此外，Pd功耗为34W，器件提供11.3nC Qg栅极电荷，器件具有10.2mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为10.4ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为8.5ns，典型接通延迟时间为7.1ns，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅源极电压为2.2V，Vgsth栅源极阈值电压为2.2V。
PSMN7R6-60BS，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN7R6-60BS在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
