9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4866DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4866DY-T1-E3参考价格为2.30000美元。Vishay Siliconix SI4866DY-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 12V 11A 8SO。您可以下载SI4866DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4866BDY-T1-GE3是MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4866BDY-GE3中使用的零件别名，该SI4866BTY-GE3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数量的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为4.45W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Ciss Vds为5020pF@6V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为21.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为5.3mOhm@12A，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为80nC@4.5V，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为32 ns 9 ns，上升时间为18ns 12ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为16.1A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns 57ns，典型接通延迟时间为26ns 13ns，沟道模式为增强型。
SI4866DY是由SI制造的Trans-MOSFET N-CH 12V 11A 8引脚SOIC N。SI4866D以SOP-8封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans-MOSMOSFET N-CH 12V 11A 8针SOIC N。
SI4866DY-T1，带有SI制造的电路图。SI4866DY-T1可在SOP8封装中获得，是FET的一部分-单个。
