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PSMN012-100YS，115是MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8、，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作130W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为100V，该器件提供3500pF@50V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为60A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为12mOhm@15A、10V，Vgs th最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为64nC@10V。
带有NXP制造的用户指南的PSMN012-60YS。PSMN012-60YS采用SOT-669封装，是FET的一部分-单个。
PSMN012-60YS，115，带有NXP制造的电路图。PSMN012-60YS，115可在LFPAK56封装中获得，是IC芯片的一部分，N沟道60V 59A（Tc）89W（Tc）表面贴装LFPAK5 6，Power-SO8，Trans MOSFET N-CH 60V 59B 5引脚（4+Tab）LFPAK T/R，MOSFET N-Channel 60V STD LEVEL MOSFET。
PSMN012-80BS，带有NXP制造的EDA/CAD模型。是FET的一部分-单个。
