9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4490DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4490DY-T1-GE3价格参考2.30000美元。Vishay Siliconix SI4490DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO。您可以下载SI4490DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4490DY-T1-E3是MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4490DY E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1.56 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为20纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为2.85A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-电源电阻为80m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
SI4490DY是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8引脚SOIC N。SI4490DY在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个，支持Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8引脚SOIC N。
SI4490DY-T，带有VISHAY制造的电路图。SI4490DY-T在SOP包中提供，是FET的一部分-单个。
